PICOSUN原子层沉积系统ALD R-200基础版

PICOSUN原子层沉积系统ALD R-200基础版

PICOSUN原子层沉积系统ALD R-200基础版 （PICOSUN? ALD R-200 Standard） 名称：原子层沉积系统 产地：芬兰 Picosun简介 Picosun是一家全球公司，Picosun的总部位于芬兰的Espoo，其生产设施位于芬兰的Masala（Kirkkonummi）。PICOSUN?ALD设备专为高产量和高产量而设计，并且不断发展以提**。Picosun适应性强其客户包括zui 大的电子制造商，小型的**型挑战者以及全球ling先的大学。 Picosun的组织机构和种类繁多的ALD解决方案都可以满足每个客户的需求。PICOSUN?研发工具具有*特的内置可扩展性，可确保将研究结果平稳过渡到大批量工业制造中，而不会出现技术差距。Picosun的热情在于**。当您想与设备制造商共同创建定制的ALD解决方案，从而引ling行业发展时，Picosun是您的合作伙伴。 Picosun*特的突破性ALD*知识可追溯到ALD技术本身的诞生。于1974年在芬兰发明了ALD方法，并在工业上获得了。在高质量ALD系统设计方面拥有丰富的经验。高度敬业的Picosun人员拥有**的ALD经验，并且为ALD的许多做出了贡献。 PICOSUN? R系列设备提供高质量ALD薄膜的沉积技术，并在各种各样的衬底上都表现*佳的均匀性，包括较具挑战性的通孔的、*高深宽比和颗粒等样品。我们为液体、气体和固体化学物提供的***的，易更换的前驱源系统，能够在晶圆、3D样品和各种纳米特性的样品上生长颗粒度较小的薄膜层。在较基本的PICOSUN? R系列配置中可以选择多个独立的，分离的源入口匹配多种类型的前驱源。PICOSUN? R系列*特的扩展性使ALD工艺可以从研究环境直接过渡到生产环境的PICOSUN? P系列ALD系统。由于研发型与生产型PICOSUN?反应腔室**设计特点都是相同的,这消除了实验室与制造车间之间的鸿沟。对大学来说,突破**的技术转化到生产中，就会吸引到企业投资。 PICOSUN?R-200标准 PICOSUN?R-200标准ALD系统适用于数十种应用的研发，例如IC组件，MEMS器件，显示器，LED，激光和3D对象，例如透镜，光学器件，珠宝，硬币和医疗植入物。热ALD研究工具的市场**者。它已成为**驱动的公司和研究机构的可以选择工具。 敏捷的设计实现了较高质量的ALD薄膜沉积以及系统的较终灵活性，可以满足未来的需求和应用。的热壁设计具有独立的入口和仪器，可实现无颗粒工艺，适用于晶圆，3D对象和所有纳米级特征上的多种材料。得益于我们专有的Picoflow?技术，即使在较具挑战性的通孔，*高长宽比和纳米颗粒样品上也可以实现出色的均匀性。 PICOSUN?R-200 Standard系统配备了功能强大且易于更换的液态，气态和固态化学物质前体源。与手套箱，粉末室和各种原位分析系统集成，无论您现在的研究领域是什么，或以后可能成为什么样的研究领域，都可以进行，灵活的研究，并获得良好的结果。 技术指标 衬底尺寸和类型 50 – 200 mm /单片 较大可沉积直径150 mm基片，竖直放置，10-25片/批次（根据工艺） 156 mm x 156 mm 太阳能硅片 3D 复杂表面衬底（使用Showerhead喷洒淋浴模式效果*佳） 粉末与颗粒（配备扩散增强器） 多孔，通孔，高深宽比（HAR）样品 工艺温度 50 – 500 °C, 可选*高温度（真空腔体外壁不用任何冷却方式即可保持温度**60 °C） 基片传送选件 气动升降（手动装载） 预真空室安装磁力操作机械手（Load lock ） 前驱体 液态、固态、气态、臭氧源 4根独立源管线，较多加载6个前驱体源 对蒸汽压低的前驱体(1mbar~10mbar)，用氮气等载气导入前驱体瓶内引出 重量 350kg 尺寸（ W x H x D)） 取决于选件 较小146 cm x 146 cm x 84 cm 较大189 cm x 206 cm x 111 cm 选件 PICOFLOW?扩散增强器，集成椭偏仪，QCM， RGA，N2发生器，尾气处理器，定制设计，手套箱集 成（用于惰性气体下装载）。 验收标准 标准设备验收标准为 Al2O3 工艺 应用领域 客户使用PICOSUN? R系列ALD 设备在150mm和200mm（6”和8”）晶圆上所沉积薄膜厚度均匀性数据。 材料 非均匀性(1σ) AI2O3 (batch) 0.13% SiO2 (batch) 0.77% TiO2 0.28% HfO2 0.47% ZnO 0.94% Ta2O5 1.00% TiN 1.10% CeO2 1.52% Pt 3.41%