泰德TDM3412 双N沟道 MOS管
泰德TDM3412 双N沟道 MOS管
一般描述
该TDM3412采用**的沟槽技术
提供优异的RDS(ON)和低门电荷。 这个
装置是适合用作负载开关或在PWM应用。
一般特征
◆频道1
◆RDS(ON)<17.5mΩ@ VGS= 4.5V
◆RDS(ON)<10.8mΩ@ VGS = 10V
◆频道2
◆RDS(ON)<16mΩ@ VGS= 4.5V
◆RDS(ON)<@为10mΩVGS =10V
◆高功率和电流处理能力
◆可提供无铅产品
◆表面贴装封装
应用:?PWM应用、?负载开关、?电源管理等