IKW75N65ES5 英飞凌650V S5系列IGBT *低饱和压降
更新时间：2022-03-14
信息编号：1328374
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英飞凌IGBT 650V S5系列采用高速TRENCHSTOP?5的芯片技术，*低VCEsat 1.35 V，比H5系列低20%，可满足 10 kHz至40 kHz的应用切换要求，实现**。 特性 IC = 75 A 时 VCE(sat) = 1.42 V（典型值） 较高结温：TJ = 175 °C 无尾电流 低EMI 易于并联 全额定电流二*管 应用 焊机 光伏 UPS EV充电 产品 型号 VCEO I C @ 100°C VCE(sat) 工作温度 封装 IKW30N65ES5 650 39.5 1.35 -40-175 TO-247-3 IKW40N65ES5 650 50 1.35 -40-175 TO-247-3 IKW50N65ES5 650 60.5 1.35 -40-175 TO-247-3 IKW75N65ES5 650 80 1.42 -40-175 TO-247-3
地址：南三环东路23号1号楼6层西段办公601、602号
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