infineon英飞凌 IKW75N60T
“infineon英飞凌 IKW75N60T”参数说明
是否有现货: 是 类型: 增强型MOS管(N沟道)
材料: N-FET硅N沟道 封装外形: P-DIT/塑料双列直插
用途: SW-REG/开关电源 导电方式: 增强型
型号: IKW75N60T 包装: TO-247
“infineon英飞凌 IKW75N60T”详细介绍
本公司供应infineon英飞凌IKW75N60Tinfineon英飞凌 IKW75N60T 增强型 N沟道 结型JFET ,质量保证,欢迎咨询洽谈。英飞凌 IKW75N60T 大量现货 价格公道。
产品描述: DIODE HYPERFAST 600V 15A TO220F
参数 数值
系列 Stealth?
工作温度 - 结温 -65°C ~ 150°C
热阻 4.6°C/W Jc
封装/外壳 TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
不同 Vr、F 时的电容 -
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 100?A @ 600V
反向恢复时间 (trr) 35ns
速度 Fast Recovery = 200mA (Io)
不同 If 时的电压 - 正向 (Vf) 2.6V @ 15A
二极管类型 Standard
电流 - 平均整流 (Io) 15A