供应高频谐振电容器
更新时间：2024-01-12
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IGBT突波吸收电容 双面金属化膜内串结构、特别的内部设计和端面喷金技术，使电容具低感抗， 高纹波电流，高du/dv以及高过压能力。 高性价比，广泛应用于电机驱动、牵引、混合动力车、大功率转换、逆变焊机、 风力发电等行业的“across-the-bus”功率线路设计。 材料特性 电容结构: 双层金属化膜，内部串联结构 封装: 阻燃塑胶带外包，环氧树脂封装，符合(UL94V-0 )标准. 尺寸: 能适合任何品牌的IGBT模块尺寸。 (可按客户需求定制特殊规格) 电气特性 电容量: 0.01 to 10.0μF, 参考表格数据 额定电压: 700 to 3000 Vdc 损耗角正切: 测试条件 1000±20 Hz ， 25±5℃. Cr≤1.0μF， 4×10-4； Cr>1.0μF， 6×10-4 绝缘电阻: 3000s，s= MΩ. μF 测试条件 1 minute，100Vdc (25±5℃) 耐电压: 2Ur (DC)测试条件 10s，t 25±5℃，1Min
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