S1139N , DFN5*6

更新时间：2024-02-06 信息编号：2442432

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集成**级硅开关管的AC-DC主控芯片,

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S1139N , DFN5*6

结合了**的电流模式 PWM 模式控制器和0.55 Ω/650V 冷 MOSFEET。S1139N 具有效率高、待机功耗低、 EMC 低、成本低等优点。它适用于36W 输出功率范围内的离线返驰式转换器。S1139N 提供全面的保护功能，包括 VCC 的逐周期电流限制(OCP)、过温保护(OTP)、过压钳位(OVP)和欠压锁定(UVLO)。S1139N电源芯片高度集成，内置0.55Ω**级硅开关管，集成反激控制器，采用DFN5*6封装，改善 EMI 性能的数字频率改组技术。固定的65kHz PWM 开关频率。电流感*冲裁。内部同步斜率补偿。低待机功耗(& lt; 75mW@AC230V)软启动，降低 MOSFET Vds 在综合保护功能中的功率压力1、 VCC 的低电压滞后锁定(UVLO)。2、 VCC 的过电压保护。3、逐周期电流限制。4、过载保护(OLP)5、过温保护(OTP)6、电流限制补偿在通用线路输入中获得相同的输出电流低启动电流(& lt; 10uA@VCC = 12V)应用手机充电器，数码相机充电器，电池充电器。http:antech888.b2b168.com