刻蚀机 NRE-4000M反应离子刻蚀 那诺-马斯特

刻蚀机 NRE-4000M反应离子刻蚀 那诺-马斯特

NRE-4000（M）反应离子刻蚀概述：NRE-4000是一款独立式RIE系统，配套有淋浴头气体分布装置以及水冷RF样品.具有不锈钢柜子以及13'的上盖式圆柱形铝腔,便于晶圆片装载.腔体有两个端口:一个带有2'的视窗,另一个空置用于诊断.该系统可以支持大到12”的晶圆片。腔体为**净设计，并且根据配套的真空泵可以达到10-6 Torr 或较小的极限真空。该系统系统可以在20mTorr到8Torr之间的真空下工作。真空泵组包含一个节流阀,一个250l的涡轮分子泵,滤网过滤器,以及一个10cfm的机械泵(带Formblin泵油).RF射频功率通过600W,13.56MHz的电源和自动调谐器提供。系统将持续监控直流自偏压,该自偏压可以高达-500V.这对于各向异性的刻蚀至关重要。该系统是基于PC控制的全自动系统.系统真空压力及DC直流偏压将以图形格式实时显示,流量及功率则以数字形式实时显示.系统提供密码保护的四级访问功能:操作员级、工程师级、工艺人员级,以及维护人员级.允许半自动模式(工程师模式)、写程序模式(工艺模式), 和全自动执行程序模式(操作模式)运行系统。基于全自动的控制，该系统具有高度的可重复性。NRE-4000（M）反应离子刻蚀产品特点：铝质腔体或不锈钢腔体不锈钢立柜能够刻蚀硅的化合物(~400? /min)以及金属典型的硅刻蚀速率，400 ?/min高达12”的阳极氧化铝RF样品台水冷及加热的RF样品台大自偏压淋浴头气流分布极限真空5x10-7Torr，20分钟内可以达到10-6Torr级别涡轮分子泵至多支持8个MFC无绕曲气体管路自动下游压力控制双刻蚀能力支持：RIE以及PE刻蚀（可选）终点监测气动升降顶盖手动上下载片基于LabView软件的PC计算机全自动控制菜单驱动，4级密码访问保护完全的安全联锁可选ICP离子源以及低温冷却样品台，用于深硅刻蚀NRE-4000（M） Features：Aluminum or Stainless Steel Chambetainless Steel CabinetCapable of etching Si compounds (~400 ? /min)and metalsTypical Si etch rate, 400 ?/minUp to 12“ Anodized RF PlatenWater Cooled and Heated RF PlatenLarge Self BiasShower Head gas distributionApproximay 10-6 Torr < 20 minutes, ~ 5 x10-7 Torr base pressureTurbomolecular PumpUp to eight MFCsNo flexing of gas linesDown Stream Pressure ControlDual Etch capability: RIE and Plasma Etch（Option）End Point DetectionPneumatically Lifted TopManual loading/unloadingPC Controlled with LabVIEWRecipe Driven, Password ProtectedFully Safety Interlocked Optional ICP source and cryogenic cooling of the platen for deep Si etchhttp:17317363700.b2b168.com