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- 产品简介:NRE-4000(M)反应离子刻蚀概述:NRE-4000是一款独立式RIE系统,配套有淋浴头气体分布装置以及水冷RF样品.具有不锈钢柜子以及13'的上盖式圆柱形铝腔,便于晶圆片装载.腔体有两个端口:一个带有2'的视窗,另一个空置用于诊断.该系统可以支持大到12”的晶圆片。腔体为**净设计,并且根据配套的真空泵可以达到10-6 Torr 或较小的极限真空。该系统系统可以在20mTorr到8Torr之间的真空下工作。真空泵组包含一个节流阀,一个250l的涡轮分子泵,滤网过滤器,以及一个10cfm的机械泵(带Formblin泵油).RF射频功率通过600W,13.56MHz的电源和自动调谐器提供。系统将持续监控直流自偏压,该自偏压可以高达-500V.这对于各向异性的刻蚀至关重要。该系统是基于PC控制的全自动系统.系统真空压力及DC直流偏压将以图形格式实时显示,流量及功率则以数字形式实时显示.系统提供密码保护的四级访问功能:操作员级、工程师级、工艺人员级,以及维护人员级.允许半自动模式(工程师模式)、写程序模式(工艺模式), 和全自动执行程序模式(操作模式)运行系统。基于全自动的控制,该系统具有高度的可重复性。NRE-4000(M)反应离子刻蚀产品特点:铝质腔体或不锈钢腔体不锈钢立柜能够刻蚀硅的化合物(~400? /min)以及金属典型的硅刻蚀速率,400 ?/min高达12”的阳极氧化铝RF样品台水冷及加热的RF样品台大自偏压淋浴头气流分布极限真空5x10-7Torr,20分钟内可以达到10-6Torr级别涡轮分子泵至多支持8个MFC无绕曲气体管路自动下游压力控制双刻蚀能力支持:RIE以及PE刻蚀(可选)终点监测气动升降顶盖手动上下载片基于LabView软件的PC计算机全自动控制菜单驱动,4级密码访问保护完全的安全联锁可选ICP离子源以及低温冷却样品台,用于深硅刻蚀NRE-4000(M) Features:Aluminum or Stainless Steel Chambetainless Steel CabinetCapable of etching Si compounds (~400 ? /min)and metalsTypical Si etch rate, 400 ?/minUp to 12“ Anodized RF PlatenWater Cooled and Heated RF PlatenLarge Self BiasShower Head gas distributionApproximay 10-6 Torr < 20 minutes, ~ 5 x10-7 Torr base pressureTurbomolecular PumpUp to eight MFCsNo flexing of gas linesDown Stream Pressure ControlDual Etch capability: RIE and Plasma Etch(Option)End Point DetectionPneumatically Lifted TopManual loading/unloadingPC Controlled with LabVIEWRecipe Driven, Password ProtectedFully Safety Interlocked Optional ICP source and cryogenic cooling of the platen for deep Si etchhttp:17317363700.b2b168.com...
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2024-01-04
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- 产品简介:NDR-4000(A)全自动DRIE深反应离子刻蚀概述:全自动上下载片,带低温晶圆片冷却和偏压样品台的深硅刻蚀系统,带8' ICP源。系统可以配套500L抽速的涡轮分子泵,可以使得工艺压力达到几mTorr的水平。在低温刻蚀的技术下,系统可以达到硅片的高深宽比刻蚀。NDR-4000(A)全自动DRIE深反应离子刻蚀主要特点:基于PC控制的紧凑型立柜式百级DRIE深硅刻蚀系统,拥有高纵横比的刻蚀能力;配套Lab View软件,菜单驱动,自动记录数据;触摸屏监控;全自动系统,带安全联锁;四级权限,带密码保护;自动上下载片;带Load Lock预真空锁;He气背面冷却,-60摄氏度的低温样品夹具;高达-1000V的外部偏压;涡轮分子泵 + 涡旋干泵;可以支持DRIE和RIE两种刻蚀模式;实时显示真空、功率、反射功率图表,以及流量实时显示;配置内容:外观尺寸:紧凑型立柜式设计,不锈钢腔体,外观尺寸为28”(W) x 42”(L) x64”(H);等离子源:NM ICP平面等离子源,带淋浴头气体分布系统。等离子源安装在腔体**部,通过ISO250的法兰连接;处理腔体:13”圆柱形铝质腔体,自动上下载片,至大支持6”(可以升级腔体支持较大基片)。腔体带有2”的观察窗口。腔体**部的喷嘴式气流分配装置,提供8”区域的气体均匀分布。系统带暗区保护。样品台:6”的托盘夹具,能够支持6”的Wafer。可以冷却到-120摄氏度(包含LN2循环水冷系统),并采用He气实现背部冷却和自动锁紧,微精细地控制He气流量,包含气动截止阀;流量控制:支持5个或更多的MFC’s 用于硅的深度刻蚀,带气动截止阀,所有的慢/快通道采用电磁阀和气动阀控制,电抛光的不锈钢气体管路带有VCR和VCO(压控振荡器)配件,所有导管以尽可能短的导轨密封设计,从而减低空间浪费并达到快速的气路切换。所有处理气体的管路在处理结束后,采用N2自动冲洗。真空系统:泵组包含涡轮分子泵和旋叶真空泵。RF电源:13.56MHz,带自动调谐功能的1000W射频电源,作为ICP源。另外,带自动调谐功能的600W射频电源用于基台偏压。操作控制:整个系统通过预装的Lab View软件和触摸监控系统,实现PC全自动控制。MFC,阀和顶盖都是气动式的,都可PC控制。系统的实时压力和直流自偏压以图表格式显示,而流量和功率则以字母数字形式显示。系统提供密码和安全连锁机制的四级权限控制。http:17317363700.b2b168.com...
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- 产品简介:NRE-4000(ICPM)ICP刻蚀机概述:是带ICP等离子源和偏压样品台的高速刻蚀系统,系统可以达到高速率、低损伤、高深宽比的刻蚀效果。可实现范围广泛的刻蚀工艺,包括刻蚀III-V化合物(如GaAs,InP,GaN,Ib)、II-VI化合物、介质材料、玻璃、石英、金属,以及硅和硅的化合物(如SiO2、Si3N4、SiC、SiGe)等。NRE-4000(ICPM)ICP刻蚀机主要特点:基于PC控制的立柜式百级ICP-RIE刻蚀系统,拥有快速的刻蚀能力;配套Lab View软件,菜单驱动,自动记录数据;触摸屏监控;全自动系统,带安全联锁;四级权限,带密码保护;手动上下载片;可以支持ICP和RIE两种刻蚀模式;实时显示真空、功率、反射功率图表,以及流量实时显示;NRE-4000(ICPM)配置内容:外观尺寸:紧凑型立柜式设计,不锈钢腔体,外观尺寸为44”(W) x 26”(L) x62”(H);等离子源:NM-ICP平面电感耦合等离子体源,带有自动调谐器,激活面积可以达到8”;处理腔体:13”的圆柱形**净腔体,材质为阳极电镀铝。晶片通过气动顶盖装载,腔体带有上载安全锁,用户可以通过PC控制,至多可以装载8个小尺寸基片,可支持的晶圆尺寸为8”。腔体带有2”的观察窗口。腔体**部的喷嘴式气流分配装置,提供8”区域的气体均匀分布。系统带暗区保护。样品台:6”的托盘夹具,能够支持6”的Wafer。可以冷却到-120摄氏度(包含LN2循环水冷系统),并采用He气实现背部冷却和自动锁紧,微精细地控制He气流量,包含气动截止阀;流量控制:支持6个或更多的MFC’s 用于ICP高速刻蚀,带气动截止阀,所有的慢/快通道采用电磁阀和气动阀控制,电抛光的不锈钢气体管路带有VCR和VCO(压控振荡器)配件,所有导管以尽可能短的导轨密封设计,从而减低空间浪费并达到快速的气路切换。所有处理气体的管路在处理结束后,采用N2自动冲洗。真空系统:泵组包含涡轮分子泵和旋叶真空泵。RF电源:13.56MHz,带自动调谐功能的1200W射频电源,作为ICP源。另外,带自动调谐功能的600W射频电源用于基台偏压。操作控制:整个系统通过预装的Lab View软件和触摸监控系统,实现PC全自动控制。MFC,阀和顶盖都是气动式的,都可PC控制。系统的实时压力和直流自偏压以图表格式显示,而流量和功率则以字母数字形式显示。系统提供密码和安全连锁机制的四级权限控制。NRE-4000(ICPM)应用领域:LEDMEMS光栅激光器微光学声光器件高频器件/功率器件**器件光子晶体探测器等http:17317363700.b2b168.com...
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- 产品简介:NIE-4000(A)全自动IBE离子束刻蚀产品概述:如铜和金等金属不含挥发性化合物,这些金属的刻蚀无法在RIE系统中完成。然而通过加速的Ar离子进行物理刻蚀则是可能的。通常情况下,样品表面采用厚胶作为掩模层,刻蚀期间富有能量的离子流会使得基片和光刻胶过热。除非可以找到有效的方式消除热量,否则光刻胶将变得非常难以去除。NANO-MASTER技术已经证明了可以把基片温度控制在50° C以内的同时,旋转晶圆片以达到想要的均匀度。NIE-4000(A)全自动IBE离子束刻蚀产品特点:14.5”不锈钢立体离子束腔体16cm DC离子枪1200eV,650mA, 气动不锈钢遮板离子束中和器氩气MFC6”水冷样品台晶片旋转速度3、10RPM,真空步进电机步进电机控制晶圆片倾斜自动上下载晶圆片典型刻蚀速率:铜200 ?/min, 硅:500 ?/min6”范围内,刻蚀均匀度+/-3%极限真空5x10-7Torr,20分钟内可达到10-6Torr级别(配套500 l涡轮分子泵)配套1000 l涡轮分子泵,极限真空可达8x10-8Torr磁控溅射Si3N4以保护被刻蚀金属表面被氧化基于LabView软件的PC计算机全自动控制菜单驱动,4级密码访问保护完整的安全联锁http:17317363700.b2b168.com...
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- 产品简介:NRE-4000型RIE-PE刻蚀机概述:NRE-4000是一款独立式PE刻蚀RIE刻蚀一体机,配套有淋浴头气体分布装置以及水冷RF样品.具有不锈钢柜子以及13'的上盖式圆柱形铝腔,便于晶圆片装载.腔体有两个端口:一个带有2'的视窗,另一个空置用于诊断.该系统可以支持至大到12'的晶圆片。腔体为**净设计,并且根据配套的真空泵可以达到10-6 Torr 或较小的极限真空。该系统系统可以在20mTorr到8Torr之间的真空下工作。真空泵组包含一个节流阀,一个250l的涡轮分子泵,滤网过滤器,以及一个10cfm的机械泵(带Formblin泵油).RF射频功率通过600W,13.56MHz的电源和自动调谐器提供。系统将持续监控直流自偏压,该自偏压可以高达-500V.这对于各向异性的刻蚀至关重要。NRE-4000型RIE-PE刻蚀机是基于PC控制的全自动系统.系统真空压力及DC直流偏压将以图形格式实时显示,流量及功率则以数字形式实时显示.系统提供密码保护的四级访问功能:操作员级、工程师级、工艺人员级,以及维护人员级.允许半自动模式(工程师模式)、写程序模式(工艺模式), 和全自动执行程序模式(操作模式)运行系统。基于全自动的控制,该系统具有高度的可重复性。NRE-4000型产品特点:铝质腔体或不锈钢腔体不锈钢立柜支持各向同性刻蚀和各向异性刻蚀两种模式能够刻蚀硅的化合物(~400? /min)以及金属典型的硅刻蚀速率,400 ?/min高达12'的阳极氧化铝RF样品台水冷及加热的RF样品台大的自偏压淋浴头气流分布极限真空5x10-7Torr,20分钟内可以达到10-6Torr级别涡轮分子泵NRE-3000至多支持4个MFC,NRE-4000至多支持8个MFC无绕曲气体管路自动下游压力控制双刻蚀能力:RIE以及PE刻蚀(可选)终点监测气动升降顶盖手动或自动上下载片预真空锁基于LabView软件的PC计算机全自动控制菜单驱动,4级密码访问保护完全的安全联锁可选ICP离子源以及低温冷却样品台,用于深硅刻蚀NRE-4000RIE反应离子刻蚀机产品型号:NRE-4000:基于PC计算机全自动控制的独立式系统,占地面积26“D x 44'WNRE-3500:基于PC计算机全自动控制的紧凑型独立式系统,占地面积26“D x 26'WNRE-3000:基于PC计算机全自动控制的台式系统,占地面积26“D x 26'WNRP-4000:RIE/PECVD双系统NDR-4000:深RIE刻蚀(深硅刻蚀)系统http:17317363700.b2b168.com...
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- 产品简介:NIM-4000(M)离子铣刻蚀系统产品概述:利用离子束轰击固体表面的溅射作用,剥离加工各种几何图形,通过大面积离子源产生的离子束,可对固体材料溅射刻蚀,对固体器件进行微细加工。该系统为全自动上下载片,计算机全自动控制的系统。NANO-MASTER技术已经证明了可以把基片温度控制在50° C以内的同时,旋转晶圆片以达到想要的均匀度。NIM-4000(M)离子铣刻蚀系统产品特点:14.5”不锈钢立体离子束腔体16cm DC离子枪1200eV,650mA, 气动不锈钢遮板离子束中和器氩气MFC6”水冷样品台晶片旋转速度3、10RPM,真空步进电机步进电机控制晶圆片倾斜自动上下载晶圆片典型刻蚀速率:铜200 ?/min, 硅:500 ?/min6”范围内,刻蚀均匀度+/-3%极限真空5x10-7Torr,20分钟内可达到10-6Torr级别(配套500 l涡轮分子泵)配套1000 l涡轮分子泵,极限真空可达8x10-8Torr磁控溅射Si3N4以保护被刻蚀金属表面被氧化基于LabView软件的PC计算机全自动控制菜单驱动,4级密码访问保护完整的安全联锁http:17317363700.b2b168.com...
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- 产品简介:NMC-4000(A)全自动PAMOCVD系统概述:NANO-MASTER针对InGaN及AlGaN沉积工艺所研发的台式等离子辅助金属**化学气相沉积系统(PA-MOCVD),该系统具有5个鼓泡装置(各带独立的冷却槽)、加热的气体管路、950度样品台三个气体环、淋浴式气体分布的RF射频等离子源以及工艺终端的N2冲洗、250lec涡轮分子泵及无油真空泵(5 x 10-7Torr极限真空)、PC全自动控制,完全的安全互锁。目前,这项技术延伸到5个4'晶圆的立柜式独立批处理系统,该系统可以集成到集群配置中以满足高产量的要求。NMC-4000(A)全自动PAMOCVD系统应用:Green LED’s (GaN, InGaN, AlGaN, ...)特点:独立系统14”不锈钢立方体腔体1次在8”样品台上处理1个6”晶圆片或在12”样品台上处理5片4”片子加热的气体管路RF等离子源,自动调谐淋浴头气体分布1100°C的旋转样品台N2冲洗全自动上下载片可以兼容到集群配置中http:17317363700.b2b168.com...
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- 产品简介:NLD-3000原子层沉积系统概述:原子层沉积是一项沉积薄膜的重要技术,具有广泛的应用。ALD原子层沉积可以满足精确膜厚控制以及高深宽比结构的保形沉积,这方面ALD原子层沉积远**过其它沉积技术。由于前驱体流量的随意性不会带来影响,所以在ALD原子层沉积中有序、自限制的表面反应将会带来非统计的沉积。这使得ALD原子层沉积膜保持高度的光滑、连续以及无孔的特性,可以提供优异的薄膜性能。ALD原子层工艺也可以实现到大基片上。NLD-3000原子层沉积系统特点:NLD-3000是一款独立的PC计算机控制的ALD,带Labview软件,具备四级密码控制的用户授权保护功能。系统为全自动的安全互锁设计,并提供了强大的灵活性,可以用于沉积多种薄膜(如:AL2O3, AlN, TiN, ZrO2, LaO2, HfO2,等等)。应用领域包含半导体、光伏、MEMS等。NLD-3000系统提供12”的铝质反应腔体,带有加热腔壁和气动升降顶盖,非常方便腔体的访问和清洁。该系统拥有一个载气舱包含多达7个50ml的加热汽缸,用于前驱体以及反应物,同时带有N2或者Ar作为运载气体的快脉冲加热传输阀。NLD-3000选配:NLD-3000系统的选配项包含自动L/UL上下载(用于6”基片),ICP离子源(用于等离子增强的PEALD),臭氧发生器,等等。NLD-3000应用:Oxides氧化物: Al203, HfO2, La2O3, SiO2, TiO ZnO, In2O3,etcNitrides氮化物: AlN, TiN, TaN, etc..Photovoltaic and MEMS applicatio光伏及MEMS应用.Nano laminates纳米复合材料http:17317363700.b2b168.com...
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- 产品简介:NPC-4000(A)全自动等离子去胶机(刻蚀机)概述:NANO-MASTER 等离子刻蚀和清洗系统是专门设计用来满足晶圆批处理或者单晶片处理的广泛应用,从晶圆的光刻胶剥离到表面改性都涉及到。该系列的设备采用PC控制,可以配套不同的等离子源,加热或不加热基片夹具,具有*的能力:可以从PE等离子刻蚀切换到RIE刻蚀模式,也就是说可以支持各向同性和各向异性的各种应用。NPC-4000(A)全自动等离子去胶机(刻蚀机)产品特点:紧凑型立式系统自动上下载片带Load Lock不锈钢、铝制腔体或钟罩式耐热玻璃腔兼容100级**净间使用淋浴头、ICP或微波等离子源旋转样品台RF偏压可PID控制加热到300 °C或冷却的样品台全自动或手动RF调谐z多可支持8个MFC带电抛光的气体管路PC计算机控制的气动阀带密码保护的多级访问控制基于LabView软件的PC计算机全自动控制机械泵的压力可达到10mTorr250 l的涡轮分子泵极限真空为5x10-7Torr完整的安全联锁应用:**物以及无机物的残留物去除光刻胶剥离或灰化去残胶以及内腐蚀(深腐蚀)应用清洗微电子元件,电路板上的钻孔或铜线框架提高黏附性,消除键合问题塑料的表面改型:O2处理以改进涂覆性能产生亲水或疏水表面http:17317363700.b2b168.com...
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- 产品简介:MOVPE设备概述: MOVPE,也就是大名鼎鼎的MOCVD(金属**物化学气相沉积), 针对InGaN及AlGaN沉积工艺所研发的台式等离子辅助金属**化学气相沉积系统(PA-MOCVD),该系统具有加热的气体管路、5个鼓泡装置(各带独立的冷却槽)、950度样品台三个气体环、PC全自动控制、淋浴式气体分布的RF射频等离子源以及工艺终端的N2冲洗、 250lec涡轮分子泵及无油真空泵(5 x 10-7Torr极限真空),完全的安全互锁。 目前,NANO-MASTER(那诺-马斯特)的这项技术延伸到5个4'晶圆的立柜式独立批处理系统,该系统可以集成到集群配置中以满足高产量的要求。MOVPE设备型号:台式系统5个带独立冷却槽的起泡器加热的气体管路950 °C样品台,2'晶圆片3个气体环RF等离子源,带淋浴头气体分布工艺完成后N2自动冲洗极限真空5x10-7Torr250 l的涡轮分子泵串接无油干泵通过LabView软件实现PC计算机全自动控制菜单驱动,4级密码访问控制完整的安全联锁 配置:独立系统14'不锈钢立方体腔体1次在8'样品台上处理1个6'晶圆片或在12'样品台上处理5片4'片子加热的气体管路RF等离子源,自动调谐淋浴头气体分布1100°C的旋转样品台N2冲洗手动或自动的晶圆片上下载可以兼容到集群配置中应用:3到5族半导体层蓝色发光二极管激光二极管紫外-可见光谱光电中的氮化铟纳米棒3D或2D材料中的二硫化钼、氮化硼、石墨烯http:17317363700.b2b168.com...
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- 产品简介:NPC-3500(A)全自动等离子去胶机(刻蚀机)概述:NANO-MASTER 等离子刻蚀和清洗系统是专门设计用来满足晶圆批处理或者单晶片处理的广泛应用,从晶圆的光刻胶剥离到表面改性都涉及到。该系列的设备采用PC控制,可以配套不同的等离子源,加热或不加热基片夹具,具有*的能力:可以从PE等离子刻蚀切换到RIE刻蚀模式,也就是说可以支持各向同性和各向异性的各种应用。NPC-3500(A)全自动等离子去胶机(刻蚀机)产品特点:紧凑型立式系统自动上下载片带Load Lock不锈钢、铝制腔体或钟罩式耐热玻璃腔兼容100级**净间使用淋浴头、ICP或微波等离子源旋转样品台RF偏压可PID控制加热到300 °C或冷却的样品台全自动或手动RF调谐z多可支持5个MFC带电抛光的气体管路PC计算机控制的气动阀带密码保护的多级访问控制基于LabView软件的PC计算机全自动控制机械泵的压力可达到10mTorr250 l的涡轮分子泵极限真空为5x10-7Torr完整的安全联锁应用:**物以及无机物的残留物去除光刻胶剥离或灰化去残胶以及内腐蚀(深腐蚀)应用清洗微电子元件,电路板上的钻孔或铜线框架提高黏附性,消除键合问题塑料的表面改型:O2处理以改进涂覆性能产生亲水或疏水表面http:17317363700.b2b168.com...
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- 产品简介:SWC-3000兆声晶圆(掩模版)清洗机概述:兆声和清洗技术的发展,对MEMS和半导体等领域的晶圆和掩模版清洗提供了的水平,可以帮助用户获得z干净的晶圆片和掩模版。NANO-MASTER提供兆声单晶圆&掩模清洗(SWC)系统,用于的无损兆声清洗。可以适用于易受损的带图案或无图案的基片,包含带保护膜的掩模版。为了在确保不损伤基片的情况下达到*化的清洗效果,兆声能量的密度必须保持在稍稍**样片上任意位置上的损伤阈值。NANO-MASTER的技术确保了声波能量均匀分布到整个基片表面,通过分布能量的z大化支持z理想的清洗,同时保证在样片的损伤阈值范围内。SWC系统提供了可控的化学试剂滴胶能力,这使得颗粒从基片表面的去除能力得以进一步加强。SWC和LSC具备对点试剂滴胶系统,可以*节省化学试剂的用量的。滴胶系统支持可编程的化学试剂混合能力,提供了可控的化学试剂在整个基片上的分布。SWC-3000兆声晶圆(掩模版)清洗机应用:带图案或不带图案的掩模版和晶圆片Ge, GaAs以及InP晶圆片清洗CMP处理后的晶圆片清洗晶圆框架上的切粒芯片清洗等离子刻蚀或光刻胶剥离后的清洗带保护膜的分划版清洗掩模版空白部位或接触部位清洗X射线及较紫外掩模版清洗光学镜头清洗ITO涂覆的显示面板清洗兆声辅助的剥离工艺特点:台式系统无损兆声掩模版或晶圆片清洗及旋转甩干支持12”直径的圆片或9”x9”方片微处理机自动控制IR红外灯选配项:掩模版或晶圆片夹具PVA软毛刷清洗化学试剂清洗(CDU)氮气离子发生器http:17317363700.b2b168.com...
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- 产品简介:SWC-5000全自动兆声晶圆清洗机:兆声和清洗技术的发展,对MEMS和半导体等领域的晶圆和掩模版清洗提供了的水平,可以帮助用户获得干净的晶圆片和掩模版。NANO-MASTER提供兆声单晶圆&掩模清洗(SWC)系统,用于**的无损兆声清洗。可以适用于易受损的带图案或无图案的基片,包含带保护膜的掩模版。为了在确保不损伤基片的情况下达到优化的清洗效果,兆声能量的密度必须保持在稍稍**样片上任意位置上的损伤阈值。NANO-MASTER的技术确保了声波能量均匀分布到整个基片表面,通过分布能量的z大化支持z理想的清洗,同时保证在样片的损伤阈值范围内。SWC系统提供了可控的化学试剂滴胶能力,这使得颗粒从基片表面的去除能力得以进一步加强。SWC和LSC具备对点试剂滴胶系统,可以*节省化学试剂的用量的。滴胶系统支持可编程的化学试剂混合能力,提供了可控的化学试剂在整个基片上的分布。通过联合使用化学试剂滴胶和NANO-MASTER的兆声清洗技术,系统去除颗粒的能力得到进一步优化。颗粒从表面被释放的能力也因此得到提升,从而被释放的颗粒在幅流的DI水作用下被扫除出去,而把回附的数量降到了z低水平。从基片表面被去除。如果没有使用幅流DI水的优势,**的静态可循环兆声清洗槽会有较大数量的颗粒回附,并且因此需要更多的去除这些颗粒。此外,NANO-MASTER的清洗机都还提供了一系列的选配功能。PVA软毛刷提供了机械的方式去除无图案基片上的污点和残胶。DI水臭氧化的选配项提供了**物的去除,而无须腐蚀性的化学试剂。我们的氢化DI水系统跟兆声能量结合可以达到纳米级的颗粒去除。根据不同的应用,某些选配项将会进一步提高设备去除不想要的颗粒和残留物的能力。SWC系统能够就地实现热氮或异丙醇甩干。“干进干出” 一步工艺可以在我们的系统中以z低的投资和购置成本来实现。NANO-MASTER清洗机的工艺处理时间可以在3-5分钟内完成,具体是3分钟还是5分钟取决于基片的尺寸以及附加的清洗配件的使用情况。NANO-MASTER的技术也适用于清洗背部以及带保护膜掩模版**的对准标记,降低这些掩模版的不必要去除和重做保护膜的几率。它也可以用于去除薄膜胶黏剂的黏附性并准备表面以便再次覆膜。此外,带薄膜掩模版的全部正面的兆声清洗以及旋转甩干可以做到无损并且对薄膜无渗漏。SWC是一款带有小占地面积的理想设备,并且很容易安装在空间有限的**净间中。该系列设备都具有出众的清洗能力,并可用于非常广泛的基片。SWC-5000全自动兆声晶圆清洗机应用:湿法刻蚀带图案或不带图案的掩模版和晶圆片Ge, GaAs以及InP晶圆片清洗CMP处理后的晶圆片清洗晶圆框架上的切粒芯片清洗等离子刻蚀或光刻胶剥离后的清洗带保护膜的分划版清洗掩模版空白部位或接触部位清洗X射线及较紫外掩模版清洗光学镜头清洗ITO涂覆的显示面板清洗兆声辅助的剥离工艺SWC-5000全自动兆声晶圆清洗机特点:机械手全自动上下载片支持12”直径的圆片或9”x9”方片独立系统无损兆声,试剂,毛刷清洗及旋转甩干微处理机自动控制化学试剂滴胶单元溶剂与酸分离排废热氮30”D x 26”W 的占地面积SWC-5000全自动兆声晶圆清洗机选配项:多系统集成掩模板或晶圆片夹具臭氧清洗PVA软毛刷清洗高压DI清洗氮气离子发生器http:17317363700.b2b168.com...
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- 产品简介:LSC-4000兆声大基片湿法去胶清洗系统概述:兆声和清洗技术的发展,对MEMS和半导体等领域的晶圆和掩模版清洗提供了的水平,可以帮助用户获得z干净的晶圆片和掩模版。NANO-MASTER提供兆声单晶圆&掩模清洗(LSC)系统,用于的无损兆声清洗。可以适用于易受损的带图案或无图案的基片,包含带保护膜的掩模版。为了在确保不损伤基片的情况下达到*化的清洗效果,兆声能量的密度必须保持在稍稍**样片上任意位置上的损伤阈值。NANO-MASTER的技术确保了声波能量均匀分布到整个基片表面,通过分布能量的z大化支持z理想的清洗,同时保证在样片的损伤阈值范围内。LSC系统提供了可控的化学试剂滴胶能力,这使得颗粒从基片表面的去除能力得以进一步加强。SWC和LSC具备对点试剂滴胶系统,可以*节省化学试剂的用量的。滴胶系统支持可编程的化学试剂混合能力,提供了可控的化学试剂在整个基片上的分布。通过联合使用化学试剂滴胶和NANO-MASTER的兆声清洗技术,系统去除颗粒的能力得到进一步优化。颗粒从表面被释放的能力也因此得到提升,从而被释放的颗粒在幅流的DI水作用下被扫除出去,而把回附的数量降到了z低水平。从基片表面被去除。如果没有使用幅流DI水的优势,的静态可循环兆声清洗槽会有较大数量的颗粒回附,并且因此需要更多的去除这些颗粒。此外,NANO-MASTER的清洗机都还提供了一系列的选配功能。PVA软毛刷提供了机械的方式去除无图案基片上的污点和残胶。DI水臭氧化的选配项提供了**物的去除,而无须腐蚀性的化学试剂。我们的氢化DI水系统跟兆声能量结合可以达到纳米级的颗粒去除。根据不同的应用,某些选配项将会进一步提高设备去除不想要的颗粒和残留物的能力。SWC系统能够就地实现热氮或异丙醇甩干。“干进干出” 一步工艺可以在我们的系统中以z低的投资和购置成本来实现。NANO-MASTER清洗机的工艺处理时间可以在3-5分钟内完成,具体是3分钟还是5分钟取决于基片的尺寸以及附加的清洗配件的使用情况。NANO-MASTER的技术也适用于清洗背部以及带保护膜掩模版**的对准标记,降低这些掩模版的不必要去除和重做保护膜的几率。它也可以用于去除薄膜胶黏剂的黏附性并准备表面以便再次覆膜。此外,带薄膜掩模版的全部正面的兆声清洗以及旋转甩干可以做到无损并且对薄膜无渗漏。LSC-4000兆声大基片湿法去胶清洗系统应用:光刻胶去除/剥离硅片蓝宝石片圆框架上的芯片显示面板ITO涂覆的显示屏带保护膜的分划版掩模版空白部位掩模版接触部位带图案/不带图案的掩模版LSC-4000兆声大基片湿法去胶清洗系统特点:支持450mm直径的圆片或15”x15”方片带兆声、DI、刷子、热DI、高压DI、热氮、化学试剂滴胶臂的大腔体带化学试剂滴胶的刷子转速可调节带LABVIEW软件的PC全自动控制触摸屏用户界面手动上下载片安全互锁及警报装置30”D x 26”W 的占地面积 LSC-4000兆声大基片湿法去胶清洗系统选配项:化学试剂传输模块Piranha溶液清洗 臭氧化DI水(20ppm的O3)氢化的DI水高压DI水热DI水溶剂和酸分离排放IR红外加热DI水循环机耐火立柜机械手上下载片,带EFEM以及SMIF界面http:17317363700.b2b168.com...
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那诺-马斯特中国有限公司
2024-01-04
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价格面议
- 产品简介:LSC-5000全自动兆声大基片湿法去胶系统概述:兆声和清洗技术的发展,对MEMS和半导体等领域的晶圆和掩模版清洗提供了的水平,可以帮助用户获得z干净的晶圆片和掩模版。NANO-MASTER提供兆声单晶圆&掩模清洗(SWC)系统,用于的无损兆声清洗。可以适用于易受损的带图案或无图案的基片,包含带保护膜的掩模版。为了在确保不损伤基片的情况下达到*化的清洗效果,兆声能量的密度必须保持在稍稍**样片上任意位置上的损伤阈值。NANO-MASTER的技术确保了声波能量均匀分布到整个基片表面,通过分布能量的z大化支持z理想的清洗,同时保证在样片的损伤阈值范围内。LSC系统提供了可控的化学试剂滴胶能力,这使得颗粒从基片表面的去除能力得以进一步加强。SWC和LSC具备对点试剂滴胶系统,可以*节省化学试剂的用量的。滴胶系统支持可编程的化学试剂混合能力,提供了可控的化学试剂在整个基片上的分布。通过联合使用化学试剂滴胶和NANO-MASTER的兆声清洗技术,系统去除颗粒的能力得到进一步优化。颗粒从表面被释放的能力也因此得到提升,从而被释放的颗粒在幅流的DI水作用下被扫除出去,而把回附的数量降到了z低水平。从基片表面被去除。如果没有使用幅流DI水的优势,的静态可循环兆声清洗槽会有较大数量的颗粒回附,并且因此需要更多的去除这些颗粒。此外,NANO-MASTER的清洗机都还提供了一系列的选配功能。PVA软毛刷提供了机械的方式去除无图案基片上的污点和残胶。DI水臭氧化的选配项提供了**物的去除,而无须腐蚀性的化学试剂。我们的氢化DI水系统跟兆声能量结合可以达到纳米级的颗粒去除。根据不同的应用,某些选配项将会进一步提高设备去除不想要的颗粒和残留物的能力。LSC系统能够就地实现热氮或异丙醇甩干。“干进干出” 一步工艺可以在我们的系统中以z低的投资和购置成本来实现。NANO-MASTER清洗机的工艺处理时间可以在3-5分钟内完成,具体是3分钟还是5分钟取决于基片的尺寸以及附加的清洗配件的使用情况。NANO-MASTER的技术也适用于清洗背部以及带保护膜掩模版**的对准标记,降低这些掩模版的不必要去除和重做保护膜的几率。它也可以用于去除薄膜胶黏剂的黏附性并准备表面以便再次覆膜。此外,带薄膜掩模版的全部正面的兆声清洗以及旋转甩干可以做到无损并且对薄膜无渗漏。LSC-5000全自动兆声大基片湿法去胶系统应用:光刻胶去除/剥离硅片蓝宝石片圆框架上的芯片显示面板ITO涂覆的显示屏带保护膜的分划版掩模版空白部位掩模版接触部位带保护膜/不带保护膜的掩模版LSC-5000全自动兆声大基片湿法去胶系统特点:支持450mm直径的圆片或15”x15”方片带兆声、DI、刷子、热DI、高压DI、热氮、化学试剂滴胶臂的大腔体带化学试剂滴胶的刷子转速可调节带LABVIEW软件的PC全自动控制触摸屏用户界面机械手上下载片,带EFEM以及SMIF界面安全互锁及警报装置30”D x 26”W 的占地面积 LSC-5000全自动兆声大基片湿法去胶系统选配项:化学试剂传输模块Piranha溶液清洗 臭氧化DI水(20ppm的O3)氢化的DI水高压DI水热DI水溶剂和酸分离排放IR红外加热DI水循环机耐火立柜http:17317363700.b2b168.com...
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那诺-马斯特中国有限公司
2024-01-04
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价格面议
- 产品简介:NIE-3000离子束清洗系统产品概述:该系统为手动放片取片,但通过计算机全自动实现工艺控制的台式离子束刻蚀系统,系统具有结构紧凑、功能强大、自动化程度高、模块化设计易于维护、低成本的优势。NIE-3000离子束清洗系统产品特点:低成本离子束:高达2KV/10mA离子电流密度100-360uA/cm2离子束直径:4',5',6'兼容反应及非反应气体(Ar, O2, CF4,Cl2)极限真空5x10-7Torr260l涡轮分子泵,串接500 l/min干泵14'不锈钢或铝质腔体水冷旋转/倾斜样品台(NIE-3500)自动上下载片(NIE-3500)基于LabView软件的PC计算机全自动控制占地面积30'x30'NIE-3000离子束清洗系统产品应用:表面处理离子铣表面清洗带活性气体的离子束刻蚀: 光栅刻蚀,以及SiO2,Si和金属的深槽刻蚀http:17317363700.b2b168.com...
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那诺-马斯特中国有限公司
2024-01-04
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价格面议
- 产品简介:NIE-3500(A)全自动离子束清洗系统产品概述:该系统为全自动上下载片,并且通过计算机全自动实现工艺控制的紧凑型独立的立柜式离子束刻蚀系统,系统具有结构紧凑、功能强大、自动化程度高、模块化设计易于维护、低成本的优势。NIE-3500(A)全自动离子束清洗系统产品特点:低成本带预真空锁,自动上下载片离子束:高达2KV/10mA离子电流密度100-360uA/cm2离子束直径:4',5',6'兼容反应及非反应气体(Ar, O2, CF4,Cl2)极限真空5x10-7Torr260l涡轮分子泵,串接500 l/min干泵14'不锈钢或铝质腔体水冷旋转/倾斜样品台(NIE-3500)自动上下载片(NIE-3500)基于LabView软件的PC计算机全自动控制占地面积30'x30'NIE-3500(A)全自动离子束清洗系统产品应用:表面处理离子铣表面清洗带活性气体的离子束刻蚀: 光栅刻蚀,以及SiO2,Si和金属的深槽刻蚀http:17317363700.b2b168.com...
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那诺-马斯特中国有限公司
2024-01-04
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价格面议
- 产品简介:Parylene涂层,属高绝缘性、无针孔、膜厚一致性的耐电击薄膜。其防尘、防潮、防水的耐透气性效果,可使产品达到*性防尘、防水的IP等级规范(*注1)。例,可使马达组、定子、转子达到*级防尘、防水的IP5.5规范(*注1);对硅钢片的耐压及防线伤或NB电池回路基板,抗电解液腐蚀等都有其显着的成效。...
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东莞市一悦纳米科技有限公司
2022-06-04
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价格面议
- 产品简介:LED显示屏类产品
Parylene涂层,具有耐腐蚀性、*好的防潮性、高绝缘强度,是无色高透明度膜层,可对交通道路、户外广场、机场、车站等场所及潮湿恶劣环境、户外环境所使用的LED显示屏*好的防护,可达到*IP规范IP55~IP68(*注1)相应等级要求。Parylene涂层膜可比传统的灌胶方式降低产品的重量及体积以减少产品支架的成本、*好的散热性、符合*环保要求、不易龟裂、使用中可更换产品上损坏的零件等优点。可使LED具有防潮、防水、耐酸碱等功能...
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东莞市一悦纳米科技有限公司
2022-06-04
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价格面议
- 产品简介:产品简介:常用于3000℃以内的各种碳材料的碳化和石墨化实验、中试生产。 碳素材料的碳化,石墨化及其它可在碳环境下烧结和熔炼的材料。 常用于处理电池材料、石墨改性,制备高模量纤维等。 较高使用温度:3000℃,常用温度2800℃。 温度均匀度:≤±15℃;控温精度:±1℃。 工作气氛:真空置换Ar2 保护(微正压)。 温度测量:红外光学测温,测温范围1000~3000℃; 测温精度:0.3%。 全面的PLC水、电、气自动控制和保护系统。...
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株洲远航工业炉科技有限公司
2022-06-04